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碳化硅生产技术
碳化硅生产技术
碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代Focus腾讯新闻
2023年7月14日 据《2022碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，除了碳化硅外延、离子注入、高温氧化/激活等碳化硅专用装备外，华卓精科等国内企业在激光退火、激光划片、PVD 近 10 年逐渐兴起，具备大带隙、大载流子漂移速率、大热导率和大击穿电场 四大 碳化硅设备行业深度报告：
一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社区
2022年12月1日 实现碳化硅离子注入的方法 在碳化硅工艺制造过程中，典型的高能离子注入设备主要由离子源、等离子体、吸出组件、分析磁体、离子束、加速管、工艺腔和扫 2021年7月5日 碳化硅衬底的主要制备工序为，将高纯的碳化硅粉在特殊温度下，采用物理气相传输法（PVT）生长不同尺寸的碳化硅晶锭，再经过切割、研磨等多道工序产出碳化硅衬底。揭秘第三代芯片材料碳化硅，国产替代黄金赛道澎湃
碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 国家自然科学基金
2021年7月21日 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级 露笑科技（）2022年7月披露，其SiC目前已经形成1000片/月的生产能力，良率约50%，预计到2022年底可以实现5000 片/月的碳化硅衬底片供货能力，折算下来一年也才6万片。中国碳化硅的2024，是未来也是终局澎湃号湃客澎
碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设
2023年4月26日 近 10 年逐渐兴起，具备大带隙、大载流子漂移速率、大热导率和大击穿电场 四大特性，全面突破材料在高频、高压、高温等复杂条件下的应用极限， 适配 5G 通信、新能源汽车、智能物联网等新兴产业， 常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。本文对SiC粉体的制备、碳化硅陶瓷烧结技术和应用进行系统综 碳化硅的制备及应用最新研究进展 汉斯出版社
突破6英寸碳化硅MOSFET量产，国家第三代半导体技术创新
3 天之前 在这里，科研人员披星戴月、马不停蹄，国内率先突破了6英寸碳化硅MOSFET批量生产技术，形成了成套具有自主知识产权的碳化硅器件技术体系。 长期以来，半导体 2021年7月21日 原标题：碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会经济科技人民网
平罗县滨河碳化硅制品有限公司
2023年5月29日 平罗县滨河碳化硅制品有限公司成立于2005年，占地面积1000多亩，总资产 20 亿元，现有员工1400余人，2017年公司总产值达到23亿 。主要从事碳化硅生产及产品深加工和销售，拥有目前全球行业内 2021年7月5日 碳化硅，第三代半导体材料 第三代半导体材料又称宽禁带半导体材料，和传统硅材料主要的区别在禁带宽度上。 禁带宽度是判断一种半导体材料击穿电压高低的重要指标，禁带宽度数值越大，则该种材料制 揭秘第三代芯片材料碳化硅，国产替代黄金赛道澎湃
碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设
2023年4月26日 生产碳化硅单晶衬底的关键步骤是晶体生长，也是碳化硅 半导体材料应用的主要技术难点，是产业链中技术密集型和资金密集型 的环节。 SiC 单晶生长方法主要有：物理气相传输法（PVT)、高温化学 气 2024年4月18日 碳化硅SiC的生产 工艺涉及从原材料的选择和预处理、高温热处理，到晶体生长、切割、打磨、器件制造、检测与封装等一系列复杂步骤。每一步都需要精确控制，确保最终产品能够满足高性能电子器件对材料的严苛要求。随着技术的日益成熟，SiC 浮思特｜碳化硅SiC生产工艺的全景解析 百家号
打造首款国产碳化硅生产设备， 德国PVA TePla集团助力
2024年3月22日 打造首款国产碳化硅晶体生长设备 在中国，电动汽车和诸多新兴行业的蓬勃发展为碳化硅衬底材料带来广阔机遇。 碳化硅半导体材料的生产技术日渐成熟稳定，并已形成相当的工业规模。 作为最早将碳化硅晶体设备引入中国市场的企业之一，德国PVA 2023年11月1日 全碳化硅产业链IDM 碳化硅衬底是制约碳化硅成本的关键，安森美收购了GTAT后，整合了衬底资源，实现了内部供应，同时也带给企业更大的自由度。 GTAT的生产过程经过了国际认证，它不光做材料，还做设备，收购为安森美打开了整个产业链，不需要额 安森美中国区碳化硅首席专家谈碳化硅产业链迭代趋势与背后
知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎
2022年12月1日 碳化硅因其出色的物理性能，如高禁带宽度、高电导率和高热导率，有望成为未来制作半导体芯片的主要材料之一。 为了确保SiC器件的优质应用，本文将详细介绍SiC器件制造中的离子注入工艺和激活退火工艺。 离子注入是一种向半导体材料内部加入特 一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社区
首款国产碳化硅生产设备， PVA TePla助力中国半导体发展
2024年3月28日 随着碳化硅技术的不断发展，中国将成为全球碳化硅产业链中的重要生产基地，德国PVA TePla集团也将持续深耕中国市场，针对中国本土市场特色提供 2024年3月22日 打造首款国产碳化硅晶体生长设备 在中国， 电动汽车 和诸多新兴行业的蓬勃发展为碳化硅衬底材料带来广阔机遇。 碳化硅半导体材料的生产技术日渐成熟稳定，并已形成相当的工业规模。 作为最早将碳化硅晶体设备引入中国市场的企业之一，德国PVA 打造首款国产碳化硅生产设备， 德国PVA TePla集团助力
碳化硅晶圆产业链的核心：外延技术 电子工程专辑 EE
2023年8月8日 碳化硅晶圆产业链的核心：外延技术 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。 碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加 知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎
第三代半导体碳化硅衬底分类、技术指标、生长工艺、产业链
为提高生产效率并降低成本，大尺寸是碳化硅衬底制备技术的重要发展方向。 衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低。 衬底的尺寸越大，边缘的浪费就越小，有利于进一步降低芯片的成本。3 天之前 在这里，科研人员披星戴月、马不停蹄，国内率先突破了6英寸碳化硅MOSFET批量生产技术，形成了成套具有自主知识产权的碳化硅器件技术体系。 长期以来，半导体产业关键核心技术缺失，成为阻碍我国产业链向高端攀升的“绊脚石”。突破6英寸碳化硅MOSFET量产，国家第三代半导体技术创新
中国碳化硅的2024，是未来也是终局澎湃号湃客澎湃新闻
2022年8月26日 虽然2024年左右海外公司有望完全占领市场，但当技术水平逐渐稳定之后，我们可以和他们比拼成本和管理，并有望在2030年以后重新夺回碳化硅市场。 不过，那是2030年以后的故事了。 注：本文不构成任何投资建议。 股市有风险，入市需谨慎。 没有买 2014年12月10日 生产碳化硅所用的原料主要是以 SiO2 为主要成分的脉石和石油焦，低档次的碳化硅可用低灰分的无烟煤为原料，辅助原料为木屑和食盐。 碳化硅有黑、绿两种。冶炼绿碳化硅时要求硅质原料中 SiO2 含量尽可能高，杂质含量尽量低。 生产黑碳化硅时，硅质原料中的 SiO2 可稍低些。碳化硅的生产原理
碳化硅SiC衬底生产工艺流程与革新方法 模拟技术 电子
2024年2月29日 碳化硅（SiC），通常被称为金刚砂，是唯一由硅和碳构成的合成物。虽然在自然界中以碳硅石矿物的形式存在，但其出现相对罕见。然而，自从1893年以来，粉状碳化硅就已大规模生产，用作研磨剂。碳化硅在研磨领域有着超过一百年的历史，主要用于磨轮和多种其他研磨应用。SiC: 以碳化硅打造更可持续的未来。 历经多年的研发积累，意法半导体于2004年推出了款碳化硅二极管。 SiC MOSFET问世于2009年，并于2014年开始量产。 如今，意法半导体基于SiC技术的中压和高压电力产品已在业内得到了广泛应用。 意法半导体积极进行产能 碳化硅 意法半导体STMicroelectronics
碳化硅衬底生产难度大，技术及工艺壁垒高
2023年10月25日 碳化硅衬底生产难度大，技术及工艺壁垒高 第三代半导体媒体人 21:27 浙江 碳化硅衬底产品的制造涉及设备研制、原料合成、晶体生长、晶体切割、晶片加工、清洗检测等诸多环节，需要长期的工艺技术积累，存在较高的技术及人才壁垒。 根据Yole数据 2021年7月21日 碳化硅晶体的生长过程就如同“蒙眼绣花”一样，因为温度太高，难以进行人工干预，所以晶体的生长过程十分容易遭到扰动，而如何在苛刻的生长条件下稳定生长环境，恰恰是晶体生长最核心的技术。要想生产出高质量的碳化硅晶片，就必须攻克这些技术难关。碳化硅，第三代半导体时代的中国机会新华网
顺应降本增效趋势，半导体碳化硅(SiC) 衬底4种切割技术
3 天之前 碳化硅衬底切割技术是将SiC晶锭沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程。将SiC晶锭切成翘曲度小、厚度均匀的晶片。切割方式和切割质量影响晶片的厚度、粗糙度、尺寸、耗损度及生产成本等。 在碳化硅器件成本中，衬底占比47%左右，是价值量最高的原材料。2023年12月14日 一、原则同意节能评审专家组对《宁夏兴尔泰新型材料有限公司碳化硅生产装置技术 改造项目节能报告》的节能评审意见。本审查意见有效期两年，自印发之日起计算。二、该项目于2023年9月8日由宁夏中宁工业园区管理委员会备案，项目符合国家 关于宁夏兴尔泰新型材料有限公司碳化硅生产装置技术改造
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2022年4月24日 1995 年沈阳星光技术陶瓷有限公司从德国 FCT 公司引进技术和设备，在国内开始了重结晶碳化硅陶瓷材料的制造。1996 年德国 FCT 公司又在唐山投资设厂成立唐山福赛特（FCT）技术陶瓷工业有限公司生产重结晶碳化硅产品 [27]。国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先进陶瓷在线
SiC行业深度报告：SiC全产业链拆解，新能源行业下一代
2022年10月29日 公司基于高温高真空晶体生长设备的技术同源性，结合“晶体生长设备— 工艺技术—晶体材料”产业链上下游技术协同优化的能力，聚焦于半导体领域， 向半导体材料厂商及其他材料客户提供半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉和蓝宝 石单晶炉等定制化的晶体生长2 天之前 碳化硅市场的未来展望随着碳化硅制备工艺和生产技术 的不断进步，碳化硅材料的质量和成本得到了显著改善。未来，碳化硅有望在更多领域得到广泛应用，如智能电网、工业电源系统、消费电子等，为人类社会的可持续发展做出更大贡 ESSHOW深圳电子展碳化硅（SiC）的现状与展望
碳化硅(SiC)技术壁垒分析 RF技术社区
2023年12月30日 同时，也可以探索其他生产技术，如化学气相沉积法等，以提高碳化硅衬底的生产效率和质量。 发展优化外延层生长技术 针对碳化硅外延层生长中的问题，需要加强研究和创新，改进生长工艺，降低崩边和质量不稳定等质量问题的发生，提高外延层的质量和 2022年3月4日 1 生产工艺及壁垒 碳化硅生产流程主要涉及以下过程：1）单晶生长，以高纯硅粉和高纯碳粉作为原 材料形成碳化硅晶体；2）衬底环节，碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加 工形成单晶薄片，也即半导体衬底材料；3）外延片环节，通常使用化学气相沉积（CVD） 方法，在晶片上淀积一 2022年碳化硅行业技术壁垒及中国产业链分析 碳化硅产品
2022年 中国SiC碳化硅器件行业 深度研究报告 East Money
2023年2月1日 碳化硅、氮化镓材料的饱和电子漂移速率分别是硅的20、25倍，因 此碳化硅、氮化镓器件的工作频率大于传统的硅器件。然而，氮化镓材料存在耐热性能较差的缺点，而碳化硅的耐热性和导热性都较好，可以弥补氮化镓器件耐热性较2023年2月16日 半导体与半导体生产设备行业：碳化硅，把握能源升级+技术迭代的成长机遇（33页）pdf 【报告导读】近年来，随着 5G、新能源等高频、大功率射频及电力电子需求的快速增长，硅基半导体器件的物理极限瓶颈逐渐凸显，如何在提升功率的同时限制体积、发 半导体与半导体生产设备行业：碳化硅，把握能源升级+技术
【工业示范】高比表面积碳化硅连续化生产技术中国科学院
2021年11月18日 关键技术包括：调节碳化硅前驱体溶胶凝胶的化学组成和制备工艺条件，控制凝胶的组成与结构，批量制备碳化硅前驱体干凝胶。将碳化硅前驱体引入连续化工业试验装置窑炉中，在氩气保护下1500oC碳热还原反应4小时，冷却到室温，碱洗除去未反应的二氧化硅等杂质，空气中焙烧700oC除去未反应的碳 2024年4月19日 举例来说，碳化硅衬底主要供应商 天岳先进 在（SH）2023年产量实现大幅提高，年内碳化硅衬底生产量为262万片，销售量226万片；而在2022年 2023年碳化硅“疾驰”：扩产与出海加速 技术生态待完善碳化硅
新能源｜碳化硅产业链研究（产业链篇）器件工艺流程外延
2022年8月24日 碳化硅产品从生产到应用的全流程历时较长。 以碳化硅功率器件为例，从单晶生长到形成衬底需耗时1 个月，从外延生长到晶圆前后段加工完成需耗时612 个月，从器件制造再到上车验证更需12 年时间。对于碳化硅功率器件IDM 厂商而言，从工业 2023年12月22日 限制出口的非金属矿物制品业技术主要包括无机非金属材料生产技术、人工晶体生长与加工技术、聚合物基复合材料生产技术等。 其中，无机非金属材料生产技术主要包括以下6项： 1非金属纤维无石棉增强抗磨材料制备技术 （1）非金属纤维无石棉增强材 限制出口抗磨材料、碳化硅纤维技术！两部门公布新版目录
碳化硅的制备及应用最新研究进展 汉斯出版社
但碳化硅在新领域的应用对它的性能提出了更高的要求，我们需要进一步完善现有的较为成熟的烧结工艺，并发展新工艺生产具备更高性能的碳化硅，如闪烧，放电等离子烧结等，需要持续研究关注，以制备出更加优良的碳化硅材料，满足高新领域的需求。2024年3月23日 热压碳化硅陶瓷，作为一种先进的工程材料，因其卓越的物理和化学性能而备受关注。 5 后处理：包括切割、研磨和抛光等，以达到所需的尺寸精度和表面光洁度。 热压碳化硅陶瓷技术凭借其独特的生产过程、广泛的应用范围以热压碳化硅陶瓷技术：生产、应用与性能过程制造特点
重结晶碳化硅陶瓷窑具的特性及生产技术 掌桥科研
2023年7月24日 机译：具有高抗热震性的高纯度，碳化硅碳化物基复合材料，其制备方法，包括其的窑具以及将窑具应用于快速热处理环境的方法 4 Kiln furniture made from temperature resistant ceramic material used for holding large ceramic molded parts, preferably roof tiles, during firing comprises a base body 2024年4月17日 为提高生产效率并降低成本，大尺寸是碳化硅衬底制备技术的重要发展方向。 衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低。 衬底的尺寸越大，边缘的浪费就越小，有利于进一步降低芯片的成本。第三代半导体碳化硅衬底分类、技术指标、生长工艺、产业链
碳化硅生产工艺流程 百度文库
碳化硅生产工艺流程 碳化硅生产工艺流程涉及到多个步骤和设备，需要掌握一定的化工和冶金技术，同时还需要严格控制各个环节的工艺参数，确保产品的质量和性能达到要求。随着技术的不断进步和创新，碳化硅生产工艺也在不断改进和优化，以提高 2024年4月17日 市场｜碳化硅模组封装，我们还能聊什么？ 拥抱碳化硅模组设计正向开发大趋势 这两年，碳化硅模组封装工艺的技术路线之争从未停歇。 IGBT时代，英飞凌以标准化的IGBT生产工艺，加标准化模组和器件封装横扫市场。 但随着碳化硅应用节奏加快，功率 市场｜碳化硅模组封装，我们还能聊什么？电子工程专辑
平罗县滨河碳化硅制品有限公司
2023年5月29日 平罗县滨河碳化硅制品有限公司成立于2005年，占地面积1000多亩，总资产 20 亿元，现有员工1400余人，2017年公司总产值达到23亿 。主要从事碳化硅生产及产品深加工和销售，拥有目前全球行业内 2021年7月5日 碳化硅，第三代半导体材料 第三代半导体材料又称宽禁带半导体材料，和传统硅材料主要的区别在禁带宽度上。 禁带宽度是判断一种半导体材料击穿电压高低的重要指标，禁带宽度数值越大，则该种材料制 揭秘第三代芯片材料碳化硅，国产替代黄金赛道澎湃
碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设
2023年4月26日 生产碳化硅单晶衬底的关键步骤是晶体生长，也是碳化硅 半导体材料应用的主要技术难点，是产业链中技术密集型和资金密集型 的环节。 SiC 单晶生长方法主要有：物理气相传输法（PVT)、高温化学 气 2024年4月18日 碳化硅SiC的生产 工艺涉及从原材料的选择和预处理、高温热处理，到晶体生长、切割、打磨、器件制造、检测与封装等一系列复杂步骤。每一步都需要精确控制，确保最终产品能够满足高性能电子器件对材料的严苛要求。随着技术的日益成熟，SiC 浮思特｜碳化硅SiC生产工艺的全景解析 百家号
打造首款国产碳化硅生产设备， 德国PVA TePla集团助力
2024年3月22日 打造首款国产碳化硅晶体生长设备 在中国，电动汽车和诸多新兴行业的蓬勃发展为碳化硅衬底材料带来广阔机遇。 碳化硅半导体材料的生产技术日渐成熟稳定，并已形成相当的工业规模。 作为最早将碳化硅晶体设备引入中国市场的企业之一，德国PVA 2023年11月1日 全碳化硅产业链IDM 碳化硅衬底是制约碳化硅成本的关键，安森美收购了GTAT后，整合了衬底资源，实现了内部供应，同时也带给企业更大的自由度。 GTAT的生产过程经过了国际认证，它不光做材料，还做设备，收购为安森美打开了整个产业链，不需要额 安森美中国区碳化硅首席专家谈碳化硅产业链迭代趋势与背后
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2024年3月28日 随着碳化硅技术的不断发展，中国将成为全球碳化硅产业链中的重要生产基地，德国PVA TePla集团也将持续深耕中国市场，针对中国本土市场特色提供 2024年3月22日 打造首款国产碳化硅晶体生长设备 在中国， 电动汽车 和诸多新兴行业的蓬勃发展为碳化硅衬底材料带来广阔机遇。 碳化硅半导体材料的生产技术日渐成熟稳定，并已形成相当的工业规模。 作为最早将碳化硅晶体设备引入中国市场的企业之一，德国PVA 打造首款国产碳化硅生产设备， 德国PVA TePla集团助力